集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管，一个由P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器，并用金属铝条将它们连在一起。
实际上，在一个常用的直径为75mm的硅片上（现在已发展到φ=125mm～150 mm）将有 3000000个这样的元件，组成几百个电路、子系统或系统。
通过氧化、光刻、扩散或离子注入、化学气相淀积蒸发或溅射等一系列工艺，一层一层地将整个电路的全部元件、它们的隔离以及金属互连图形同时制造在一个单晶片上，形成一个三维网络。
而一次又可以同时加工几十片甚至上百片这样的硅片，所以一批可以得到成千上万个这样的电路。这样高的效率，正是集成电路能迅速发展的技术和经济原因。
半导体集成电路的这个三维网络可以有各种不同的电路功能和系统功能，视各层的拓扑图形和工艺规范而定。
在一定的工艺规范条件下，主要由各层拓扑图形控制，而各层的拓扑图形又由各次光刻掩膜版所决定。
所以光刻掩膜版的设计是制造集成电路的一个关键。它从系统或电路的功能要求出发，按实际可能的工艺参数进行设计，并由计算机辅助来完成设计和掩膜版的制造。
在芯片制造完成后，经过检测，然后将硅片上的芯片一个个划下来，将性能满足要求的芯片封装在管壳上，即构成完整的集成电路。
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